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Dow Corning und SÜSS MicroTec arbeiten bei Halbleitergehäusen zusammen

Garching - Dow Corning, ein namhafter Anbieter fortschrittlicher Siliciumtechnologien und -materialien für die Halbleiterindustrie, und SÜSS MicroTec, ein führender Anbieter von Halbleiterprozesslösungen, haben heute ihre Zusammenarbeit für das temporäre Bonden von 3D-Halbleitergehäusen mittels Silicium-Durchkontaktierung (TSV, von englisch through-silicon via) angekündigt. Im Rahmen dieser nicht exklusiven Vereinbarung entwickeln die beiden Unternehmen eine Systemlösung mit Material und Ausrüstung zur Massenproduktion von 3D-TSV-Gehäuseteilen. Gemeinsam arbeiten Dow Corning und SÜSS MicroTec daran, die Schwierigkeiten zu überwinden, vor denen der Markt hinsichtlich der erweiterten Kommerzialisierung von 3D-TSV- und 3D-WLP-Gehäusen (Wafer Level Packaging) steht.

„Die Zusammenarbeit an der Seite von Dow Corning hat die Prozessentwicklung beschleunigt, und diese Erfahrung wird auch die schnellere Umsetzung für Kunden erleichtern, die sich für die Materialien und Ausrüstungen für temporäres Bonden von Dow Corning und SÜSS MicroTec interessieren.“

Das aus einer Klebe- und einer Releaseschicht bestehende Material von Dow Corning auf Siliciumbasis ist für die einfache Verarbeitung mit einer doppelten Rotationsbeschichtung und einem Bondverfahren optimiert. In Kombination mit der Ausrüstung von SÜSS MicroTec bietet die Gesamtlösung die Vorteile von vereinfachtem Bonden mithilfe herkömmlicher Fertigungsmethoden, Kompatibilität mit Wärme- und chemischen Anforderungen für Via-Middle- und Interposer-TSV-Verarbeitung sowie das für fortschrittliche Gehäuseanwendungen erforderliche schnellere Ablösen bei Umgebungstemperaturen.

Die Kommerzialisierung von TSV-Technologie wird Halbleiterunternehmen die Möglichkeit geben, den Formfaktor von Halbleitergehäusen zu verringern und dadurch der anhaltenden Kundennachfrage nach kleineren, dünneren und schnelleren Elektronikgeräten mit mehr Funktionalität nachzukommen. Das Übereinanderstapeln von zwei oder mehr Chips mithilfe der TSV-Technologie ist eine der realisierbaren Möglichkeiten zur Verkleinerung der Grundfläche der Leiterplatte, wofür die Branche jedoch eine Lösung zur Verarbeitung dünner Wafer mithilfe von temporärem Bonden finden muss.

„SÜSS MicroTec gilt beim Wafer-Bonden und bei Anwendungen in den Bereichen 3D-TSV, WLP und elektromechanischen Mikrosystemen (microelectromechanical systems, MEMS) als Marktführer. Indem die Kompetenz dieses Unternehmens bei Gehäuseteilen genutzt wird, kann Dow Corning den Kunden einen Zugang zu Systemlösungen für komplexe 3D-Gehäuseanforderungen bieten“, erklärte Jim Helwick, Vice President von Dow Corning Electronics Solutions.

„Wir sind sehr erfreut über unsere Zusammenarbeit mit einem so innovativen Unternehmen in Bezug auf Technologien und Materialien wie Dow Corning“, sagte Frank P. Averdung, Präsident und CEO der SÜSS MicroTec AG. „Die Zusammenarbeit an der Seite von Dow Corning hat die Prozessentwicklung beschleunigt, und diese Erfahrung wird auch die schnellere Umsetzung für Kunden erleichtern, die sich für die Materialien und Ausrüstungen für temporäres Bonden von Dow Corning und SÜSS MicroTec interessieren.“

Dow Corning baut auf einer langjährigen Geschichte mit Innovationen im Siliciumbereich und Kooperationen bei Halbleitergehäusen auf. Von Verkapselungsstoffen zur Spannungsentlastung von Nacktchips über Klebemittel für Dichtungen und Bonden bis zu leistungs- und verlässlichkeitssteigernden thermischen Interface-Materialien garantiert Dow Corning anhand seiner etablierten globalen Infrastruktur die Zuverlässigkeit von Lieferungen, Qualität und Support, wo auch immer Sie sich befinden.

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